三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM：容量大增，带宽飞跃

　　2月27日消息，三星电子近日正式发布了旗下首款12层堆叠的HBM3E DRAM，命名为HBM3E 12H。这款产品刷新了三星HBM产品的容量上限，成为该公司迄今为止容量最大的HBM产品。

　　HBM3E 12H的最大亮点在于其带宽和容量的显著提升。据悉，该产品的全天候最高带宽可达到惊人的1280GB/s，同时产品容量也高达36GB。与三星先前推出的8层堆叠的HBM3 8H相比，HBM3E 12H在带宽和容量上的提升幅度均超过了50%，这一突破性的提升无疑将为用户带来更为出色的性能体验。

　　据本站了解，当前的人工智能服务供应商对更高容量的HBM需求日益迫切。对此，三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示：“我们的新产品HBM3E 12H正是为了满足这种不断增长的需求而设计的。这款全新的存储解决方案不仅展示了我们在多层堆叠HBM核心技术研发方面的实力，也进一步巩固了我们在人工智能时代高容量HBM市场的技术领先地位。”

　　为了实现这一突破性的产品性能，三星在HBM3E 12H的研发过程中采用了创新的热压非导电薄膜(TC NCF)技术。这项技术使得12层堆叠的产品在高度上与8层堆叠产品保持一致，从而满足了当前HBM封装的要求。此外，通过不断降低非导电薄膜(NCF)材料的厚度以及实现芯片之间间隙的最小化，三星成功地将HBM3E 12H产品的垂直密度提高了20%以上。

　　三星的热压非导电薄膜(TC NCF)技术还通过优化芯片之间的凸块尺寸来改善HBM的热性能。在芯片键合过程中，较小尺寸的凸块被用于信号传输区域，而较大尺寸的凸块则被放置在需要散热的区域，这种独特的设计有助于提高产品的良率和可靠性。

　　据三星电子介绍，搭载HBM3E 12H的人工智能应用预计将实现平均训练速度提升34%的显著效果，同时推理服务用户数量也将增加超过11.5倍。这一性能提升将为人工智能领域的发展注入新的动力。

　　目前，三星已经开始向客户提供HBM3E 12H的样品，并计划于今年下半年开始大规模量产。随着这款高性能HBM产品的推出，三星有望在人工智能和高性能计算领域进一步拓展其市场份额。